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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明公开了一种LED与HEMT集成器件及其制备方法。集成器件包括衬底、至少一个凸起结构、LED叠层和HEMT叠层：凸起结构位于衬底的一侧；凸起结构包括相互邻接的不同外表面，HEMT叠层的至少部分结构和LED叠层的至少部分结构分别位于凸起结构的不同外表面，且HEMT叠层与LED叠层至少部分接触；HEMT叠层中包括二维电子气，二维电子气向LED叠层提供电子。通过上述方案，可实现LED与HEMT的单片集成，利用HEMT独立驱动LED，在保证LED驱动效果的前提下简化集成工艺流程、降低集成难度、减小集成器件尺寸、提升集成器件性能。
主权项：1.一种LED与HEMT集成器件，其特征在于，包括衬底、至少一个凸起结构、LED叠层和HEMT叠层：所述凸起结构位于所述衬底的一侧；所述凸起结构包括相互邻接的不同外表面，所述HEMT叠层的至少部分结构和所述LED叠层的至少部分结构分别位于所述凸起结构的不同外表面，且所述HEMT叠层与所述LED叠层至少部分接触；所述HEMT叠层中包括二维电子气，所述二维电子气向所述LED叠层提供电子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 一种LED与HEMT集成器件及其制备方法
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