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申请/专利权人：南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司
摘要：本发明公开了一种硅基AlGaNGaNHEMT外延结构及制备方法，所述外延结构包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN缓冲层、阶梯AlGaN应力释放层、GaN晶种铺垫粗化层、GaN外延层、第一AlN插入层、第一C掺杂GaN层、第二AlN插入层、第二C掺杂GaN层、第三AlN插入层、无掺杂GaN沟道层、第四AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN电容层；所述阶梯AlGaN应力释放层包括若干层Al组分摩尔含量70%‑20%的AlGaN层，各AlGaN层的Al组分摩尔含量自下而上逐层递减，且各AlGaN层的厚度自下而上逐层递增。
主权项：1.一种硅基AlGaNGaNHEMT外延结构，其特征在于，包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN缓冲层、阶梯AlGaN应力释放层、GaN晶种铺垫粗化层（7）、GaN外延层（8）、第一AlN插入层（9）、第一C掺杂GaN层（10）、第二AlN插入层（11）、第二C掺杂GaN层（12）、第三AlN插入层（13）、无掺杂GaN沟道层（14）、第四AlN插入层（15）、AlGaN势垒层（16）、GaN电容层（17）；所述阶梯AlGaN应力释放层包括若干层Al组分摩尔含量70%-20%的AlGaN层，各AlGaN层的Al组分摩尔含量自下而上逐层递减，且各AlGaN层的厚度自下而上逐层递增。
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百度查询： 南京国盛电子有限公司 南京盛鑫半导体材料有限公司 一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法
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