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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
摘要：本公开提供了一种外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质，该方法包括：对外延设备的反应腔室进行初步吹扫和初步升温；对反应腔室执行可重复清洁步骤，可重复清洁步骤包括：对反应腔室进行吹扫、升温、氢气烘烤、输送刻蚀气体、吹扫、冷却；对反应腔室进行降温，使腔室温度降温至外延生长时的工艺温度；将空白测试硅片置于反应腔室内长膜，得到测试外延片；检测测试外延片的表面颗粒，以判断反应腔室的清洁指标是否符合预设清洁指标；若反应腔室的清洁指标不符合预设清洁指标，再次执行可重复清洁步骤，直至清洁指标符合预设清洁指标为止。本公开的外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质，能够减少外延片颗粒污染，提高产品品质。
主权项：1.一种外延设备清洁方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步骤、对所述外延设备的反应腔室进行初步吹扫；第二步骤、对所述外延设备的反应腔室进行初步升温；第三步骤、对所述反应腔室执行可重复清洁步骤，所述可重复清洁步骤包括：第一子步骤、对所述反应腔室进行吹扫；第二子步骤、对所述反应腔室进行升温；第三子步骤、对所述反应腔室进行氢气烘烤；第四子步骤、向所述反应腔室内输送刻蚀气体，以对反应腔室表面及内部部件表面的污染物进行刻蚀；第五子步骤、对所述反应腔室进行吹扫，以排出刻蚀产物和残余刻蚀气体；第六子步骤、对所述反应腔室进行冷却；第四步骤、对所述反应腔室进行降温，以使所述反应腔室的腔室温度降温至外延生长时的工艺温度；第五步骤、将空白测试硅片置于所述反应腔室内长膜，得到测试外延片；第六步骤、检测所述测试外延片的表面颗粒，以判断所述反应腔室的清洁指标是否符合预设清洁指标；且若所述反应腔室的清洁指标不符合预设清洁指标，再次执行所述第三步骤、所述第四步骤、所述第五步骤和所述第六步骤，直至所述清洁指标符合预设清洁指标为止。
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