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申请/专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过至少在一势阱层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势阱层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒层与势阱层之间的生长温度过渡；所述深阱层、浅阱层用于阱层的电子限制。通过生长温度的控制，可有效释放势垒层与势阱层之间的应力；同时，在势阱层前后两端进一步形成阱类结构，有利于加强阱层的电子限制，从而提高其内量子效率。
主权项：1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区、第二型半导体层；所述有源区包括交替堆叠的势垒层和势阱层，且至少在一势阱层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势阱层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒层与势阱层之间的生长温度过渡；所述深阱层、浅阱层通过禁带宽度的调节以加强阱层的电子限制；所述升温层与降温层分别包括非掺的材料层，所述深阱层与所述浅阱层分别包括P型掺杂的材料层，且掺杂浓度不高于5*1017cm-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门乾照光电股份有限公司 一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片
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