龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种空腔结构的制作方法，由第一材料构成外围的结构层，由位于第一材料形成的结构中的第二材料构成一刻蚀空间，将所述的第二材料刻蚀去除之后形成所述的空腔结构；在对所述的第二材料进行刻蚀时，采用分步的、具有不同刻蚀选择比的刻蚀工艺进行刻蚀：首先进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀采用低刻蚀选择比的各向同性刻蚀工艺对所述的第一材料和第二材料同时进行刻蚀；再进行第二次刻蚀，所述的第二次刻蚀采用高刻蚀选择比的各向同性刻蚀工艺对所述的第二材料进行刻蚀；完成刻蚀工艺，形成空腔结构。本发明通过分步管控刻蚀，调整不同时期两种材料的不同刻蚀选择比，有效的解决了空腔结构刻蚀过程中形成的各种缺陷的问题。
主权项：1.一种空腔结构的制作方法，其特征在于：由第一材料构成外围的结构层，由位于第一材料形成的结构中的第二材料构成一刻蚀空间，将所述的第二材料刻蚀去除之后形成所述的空腔结构；在对所述的第二材料进行刻蚀时，采用分步的、具有不同刻蚀选择比的刻蚀工艺进行刻蚀：首先进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀采用低刻蚀选择比的各向同性刻蚀工艺对所述的第一材料和第二材料同时进行刻蚀；再进行第二次刻蚀，所述的第二次刻蚀采用高刻蚀选择比的各向同性刻蚀工艺对所述的第一材料和第二材料同时进行刻蚀；完成刻蚀工艺，形成空腔结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 空腔结构的制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号