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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种外延后对准方法，将外延前被对准层的套刻标记在X、Y方向形成周期排列的密集图形，在每个X、Y方向的套刻标记的数量为N个，其中N不小于2；利用密集图形在前层图形上形成被对准标记；在前层图形上形成外延层，在每个X、Y方向上选取至少一个被对准标记作为被对准图形；在外延层上形成包括对准图形的当层图形，对准图形的尺寸位于被对准层图形的中间。本发明能够避免外延前的对准标记在外延后消失的问题，提高外延后层次对准的准确性。
主权项：1.一种外延后对准方法，其特征在于，至少包括：步骤一、将外延前被对准层的套刻标记在X、Y方向形成周期排列的密集图形，在每个X、Y方向的所述套刻标记的数量为N个，其中N不小于2；步骤二、利用所述密集图形在前层图形上形成被对准标记；步骤三、在前层图形上形成外延层，在每个X、Y方向上选取至少一个所述被对准标记作为被对准图形；步骤四、在所述外延层上形成包括对准图形的当层图形，所述对准图形的尺寸位于所述被对准层图形的中间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 外延后对准方法
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