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申请/专利权人：晶能光电股份有限公司
摘要：本发明提供了一种半极性多量子阱垒外延结构及其制备方法、MicroLED芯片，在半极性多量子阱垒外延结构的六角锥产生层中，形成有锥尖朝向n型GaN电流扩展层的六角锥形孔，六角锥形孔的（0001）面呈六边形图案分布，六角锥形孔密布在（0001）面上；多量子阱垒层为半极性多量子阱垒层，且沿六角锥形孔内的半极性（1‑101）侧面生长而成。在外延结构中生长量子阱之前先制备表面为连续紧密分布的六角锥形态的六角锥产生层，并在均匀分布的六角锥孔侧面形成半极性多量子阱垒层，达到载流子局域化增强的效果来减小Micro‑LED侧壁效应。
主权项：1.一种半极性多量子阱垒外延结构，其特征在于，包括：依次形成于生长衬底表面的成核层、位错分布控制层、n型GaN电流扩展层、六角锥产生层、多量子阱垒层及p型电子阻挡层、p型GaN电流扩展层、p型欧姆接触层；所述六角锥产生层中形成有锥尖朝向n型GaN电流扩展层的六角锥形孔，六角锥形孔的（0001）面呈六边形图案分布，且六角锥形孔密布在（0001）面上；所述多量子阱垒层为半极性多量子阱垒层，且沿六角锥形孔内的半极性（1-101）侧面生长而成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶能光电股份有限公司 半极性多量子阱垒外延结构及其制备方法、Micro LED芯片
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