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申请/专利权人：JX金属株式会社
摘要：本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的BOW值为－2.0～2.0μm。
主权项：1.一种磷化铟基板，其特征在于，所述磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和所述主面的相反侧的背面，在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的BOW值为－2.0～2.0μm，其中BOW值是通过如下方式测定的：在以支承磷化铟基板、不改变原本的形状的方式进行了测定的情况下，在磷化铟基板的测定面上以包围基板中心点的方式描绘出以三个点为顶点的三角形时，将包含该三角形的平面设为三点基准面，该三个点是在以基板中心作为原点而取OF中央部成为270°的极坐标将基板的半径设为R时，成为0.97R，90°、0.97R，210°、0.97R，330°的三个点，在与三点基准面垂直的方向上，以上方向设为正值、下方向设为负值的方式表示基板中心点与三点基准面之间的距离的值为BOW值，所述磷化铟基板是通过下述制造方法得到的：一边使金属线在水平方向上以300～350m分钟的往复速度往复一边始终持续输送新线，并且使载有磷化铟的锭的载物台朝向所述金属线在铅垂方向上以200～400μm分钟的移动速度移动，利用磨料的粘度为300～400mPa·s的钢丝锯从磷化铟的锭切出晶片，对切出的晶片从两面合计只蚀刻5～15μm而进行研磨，对研磨后的晶片从两面合计只蚀刻8～15μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： JX金属株式会社 磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
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