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申请/专利权人：郑州大学
摘要：本发明提供了一种低电阻率铟镓锡氧化物IGTO溅射靶材的制备方法，属于光电器件材料技术领域。本发明是将氧化铟粉末、氧化镓粉末和氧化锡粉末按一定的铟镓锡原子比70:15:15，70:10:20，70:20:10加入到球磨罐中，并加入去离子水、分散剂和粘结剂，采用高能球磨技术制得高固含量低粘度的IGTO浆料；采用压力注浆成形技术或者造粒‑模压‑冷等静压成型技术制得高密度微观组织均匀的IGTO靶材素坯；采用无压脱脂烧结一体化技术制得高密度低电阻率晶粒细小的IGTO靶材烧结体。实施例得实验结果表明，本发明提供的制备方法制备的铟镓锡氧化物溅射靶材的相对密度为98.2～99.8％。
主权项：1.一种低电阻率铟镓锡氧化物溅射靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、按化学计量比，将氧化铟、氧化镓、氧化锡、去离子水、分散剂和粘结剂混合，得到铟镓锡氧化物浆料；S2、将S1中得到的铟镓锡氧化物浆料进行压力注浆成形，干燥后得到铟镓锡氧化物溅射靶材素坯；S3、将S2中得到的铟镓锡氧化物溅射靶材素坯利用脱脂-无压烧结一体化技术进行处理，得到铟镓锡氧化物溅射靶材。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 郑州大学 一种铟镓锡氧化物溅射靶材及其制备方法
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