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申请/专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种高电子迁移率晶体管，其包括阻挡层、第一Inx1Ga1‑x1As过渡层和Iny1Ga1‑y1As接触层，第一Inx1Ga1‑x1As过渡层设置在阻挡层之上，Iny1Ga1‑y1As接触层设置在第一Inx1Ga1‑x1As过渡层之上，其中，0.1≤y1≤0.7，第一Inx1Ga1‑x1As过渡层中的In含量x1沿阻挡层到Iny1Ga1‑y1As接触层的方向逐渐增加，且0＜x1≤y1。借此设置，可以避免Iny1Ga1‑y1As接触层和其邻近层之间的晶格失配问题，提高高电子迁移率晶体管的电学性能和可靠性，并且还可有效降低高电子迁移率晶体管的欧姆接触电阻。
主权项：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管包括：阻挡层；第一Inx1Ga1-x1As过渡层，设置在所述阻挡层之上；Iny1Ga1-y1As接触层，设置在所述第一Inx1Ga1-x1As过渡层之上，其中，0.1≤y1≤0.7；其中，所述第一Inx1Ga1-x1As过渡层中的In含量x1沿所述阻挡层到所述Iny1Ga1-y1As接触层的方向逐渐增加，且0＜x1≤y1；其中，所述高电子迁移率晶体管还包括第二Inx2Ga1-x2As过渡层，所述第二Inx2Ga1-x2As过渡层设置在所述Iny1Ga1-y1As接触层之上，所述第二Inx2Ga1-x2As过渡层中的In含量x2沿所述阻挡层到所述Iny1Ga1-y1As接触层的方向逐渐降低，且0＜x2≤y1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门市三安集成电路有限公司 高电子迁移率晶体管和集成HEMT器件
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