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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

摘要：本公开提供一种基于GaNHEMT的激光器驱动电路，包括：第一GaNHEMT模块，被设置为响应输入的第一电压脉冲信号，输出第二电压脉冲信号；电压脉冲反相模块，与所述第一GaNHEMT模块相连，被设置将所述第二电压脉冲信号进行反相得到第三电压脉冲信号；以及第二GaNHEMT模块，被设置为响应所述第三电压脉冲信号，输出放大的脉冲电流，驱动激光器发光。同时本公开还提供一种激光器驱动电路单片集成方法，将以上所述的激光器驱动电路进行集成。

主权项：1.一种基于GaNHEMT的激光器驱动电路，包括：第一GaNHEMT模块，被设置为响应输入的第一电压脉冲信号，输出第二电压脉冲信号；电压脉冲反相模块，与所述第一GaNHEMT模块相连，被设置将所述第二电压脉冲信号进行反相得到第三电压脉冲信号；以及第二GaNHEMT模块，被设置为响应所述第三电压脉冲信号，输出放大的脉冲电流，驱动窄脉冲激光器发光，所述驱动电路能够响应的最小输入信号脉宽为10ns；所述第一GaNHEMT模块作为激光器驱动电路的输入级，包括：第一GaNHEMT以及上拉电阻R1，第一GaNHEMT与信号发生器相连；上拉电阻一端与所述第一GaNHEMT的漏极相连，另一端连接至第一驱动电源（VDD）；脉冲反相模块作为激光器驱动电路的中间级，包括：Si的PMOS管以及下拉电阻R2；PMOS管栅极与所述第一GaNHEMT的漏极相连；下拉电阻的一端与所述PMOS管的漏极相连，另一端连接地；第二GaNHEMT模块作为激光器驱动电路的输出级，包括：第二GaNHEMT，第二GaNHEMT的栅极与所述PMOS管的漏极相连，第二GaNHEMT的漏极与激光器的负极相连，源极接地；所述第二GaNHEMT尺寸大于所述第一GaNHEMT尺寸，上拉电阻R1、第一GaNHEMT、第二GaNHEMT制作在一片衬底上；Si的PMOS管与下拉电阻R2制作在一片衬底上，从而最终采用3D堆叠式封装将两个部分的裸芯集成在一起；第一电压脉冲信号为第一GaNHEMT模块提供毫安级脉冲电流，所述第一GaNHEMT模块将毫安级脉冲电流放大为安培级脉冲电流，第三电压脉冲信号为第二GaNHEMT模块提供安培级脉冲电流，所述第二GaNHEMT模块将安培级脉冲电流放大为数十安培级脉冲电流。

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百度查询： 中国科学院半导体研究所 基于GaN HEMT的激光器驱动电路及其单片集成方法