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申请/专利权人：旭矽半导体(上海)有限公司
摘要：本发明提供一种SGT‑MOSFET半导体器件的制备方法，在半导体衬底上形成初始第一牺牲层，所述初始第一牺牲层还覆盖深沟槽的侧壁和底部；采用注入工艺对所述初始第一牺牲层进行离子注入，在所述半导体衬底上形成覆盖所述深沟槽侧壁和底部的第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的第二牺牲层。通过对深沟槽侧壁的初始第一牺牲层进行离子注入，在所述半导体衬底上形成覆盖所述深沟槽侧壁和底部的第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的第二牺牲层，所述第二牺牲层的致密性低于所述第一牺牲层，从而实现对SGT纵向耗尽的调节，进而实现BV提升的优化，具有显著的意义。
主权项：1.一种SGT-MOSFET半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有深沟槽；在所述半导体衬底上形成初始第一牺牲层，所述初始第一牺牲层还覆盖所述深沟槽的侧壁和底部；采用注入工艺对所述初始第一牺牲层进行离子注入，在所述半导体衬底上形成覆盖所述深沟槽侧壁和底部的第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的第二牺牲层；在所述第二牺牲层上形成第三牺牲层；形成填充所述深沟槽的阻挡层；以所述阻挡层为掩模，去除所述第二牺牲层、所述第三牺牲层，以及部分位于所述深沟槽侧壁的所述第一牺牲层，位于所述深沟槽侧壁的剩余的第一牺牲层的厚度沿所述深沟槽侧壁向所述深沟槽的底部逐渐增大；去除所述阻挡层；所述注入工艺的注入能量为30KeV～100KeV，所述离子注入的注入深度为300埃～500埃，所述第二牺牲层的厚度为300埃～500埃；所述第三牺牲层的致密性低于所述第二牺牲层的致密性；所述第三牺牲层的刻蚀去除率大于所述第二牺牲层的刻蚀去除率；所述第二牺牲层的刻蚀去除率大于所述第一牺牲层的刻蚀去除率。
全文数据：
权利要求：
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