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申请/专利权人：重庆大学;重庆平伟实业股份有限公司
摘要：本申请提供一种肖特基接触超势垒整流器，该整流器基于阳极金属层、第一导电类型多晶硅层、氧化层和第二导电类型低电子势垒锗硅区域形成低电子势垒结构，该低电子势垒结构为整流器的阳极结构，当整流器正向导通时，电子将更容易从阴极向阳极流动，实现更小的导通电压。因此，整流器可以在不恶化正向导通电压和反向泄漏电流的前提下，增加氧化层的厚度；在不对基本电学特性造成退化的基础上，通过增加氧化层的厚度来改善肖特基接触超势垒整流器的单粒子栅穿特性，以改善抗单粒子栅穿性能。
主权项：1.一种肖特基接触超势垒整流器，其特征在于，包括：阴极金属层以及依次堆叠在所述阴极金属层上的第一导电类型衬底层和第一导电类型漂移区；所述第一导电类型漂移区内设置第一凹槽，所述第一凹槽内设置有第二导电类型阳极体区域；所述第二导电类型阳极体区域上设置有第二导电类型低电子势垒锗硅区域；所述第二导电类型低电子势垒锗硅区域上设置有阳极金属层和氧化层；所述第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型低电子势垒锗硅区域；所述第一导电类型低电子势垒锗硅区域上设置有所述氧化层；所述氧化层上设置有第一导电类型多晶硅层；所述第一导电类型多晶硅层上设置有所述阳极金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 重庆平伟实业股份有限公司 一种肖特基接触超势垒整流器
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