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申请/专利权人：南京南瑞半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法，L型结构电场调制区可以有效调制器件内部电场，消除沟槽底角处电场聚集效应，屏蔽栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性，在调制电场的前提下，与器件阱区保持更远的间距从而有效缓解柱状型结构与阱区的自然耗尽作用，从而防止器件导通性能恶化；新增电流扩展区，其掺杂浓度相比第一外延层高，在器件导通时提供更多的载流子用于传输电流，提高器件导通性能，电流扩展区位于阱区与L型结构区之间，进一步削弱两者之间的自然耗尽作用，从而亦起到提高器件电流的目的，增强器件导通性能。
主权项：1.一种沟槽型MOSFET器件，包括从下到上依次设置的漏极电极120、漏极欧姆接触层119、第一掺杂类型的重掺杂的衬底101、第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层103、第一掺杂类型的轻掺杂的第二外延层106和钝化层113；所述第二外延层106内设置第二掺杂类型的阱区107，第二掺杂类型的阱区107顶部对称设置一组第二掺杂类型的接触区108，两组第二掺杂类型的接触区108之间设置第一掺杂类型的源区109；在第一外延层103和第二外延层106中间贯穿第二外延层106设置栅沟槽110，槽内设置栅介质层111，第一掺杂类型的多晶硅层112填充于栅沟槽110内；所述钝化层113的两端设置源极窗口114，源极窗口114的表面设置源极欧姆接触层115，源极电极118设置于源极欧姆接触层115上；所述钝化层113中间、多晶硅层112的上方设置栅极窗口116，栅极电极117设置于栅极窗口116内；其特征在于，所述的第一外延层103顶部对称设置一组第二掺杂类型的L型结构区104，两个L型结构区104之间设置第一掺杂类型的电流扩展区105。
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权利要求：
百度查询： 南京南瑞半导体有限公司 一种沟槽型MOSFET器件及其制备方法
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