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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了集成P型沟道的高可靠性碳化硅MOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方设置有栅极电极，栅极电极内设置有导电多晶碳化硅层，两个导电外延层的上方均设置有导电缓冲区，两个导电缓冲区的上方均设置有导电扩展层，两个导电扩展层上均设置有缓冲结构。该集成P型沟道的高可靠性碳化硅MOSFET器件，避免碳化硅MOSFET器件出现双极退化效应，增加碳化硅MOSFET器件使用的稳定性，实现对碳化硅MOSFET器件的自我保护，且在带电粒子发生移动时能够减少电能损耗，提高碳化硅MOSFET器件的使用效果。
主权项：1.集成P型沟道的高可靠性碳化硅MOSFET器件，包括漏极1，其特征在于：所述漏极1的上方设置有导电衬底层2，所述导电衬底层2的上端两侧均设置有导电外延层3，所述导电衬底层2的上端中部设置有导电柱区4，所述导电柱区4的上方设置有栅极电极6，所述栅极电极6内设置有导电多晶碳化硅层61，两个所述导电外延层3的上方均设置有导电缓冲区14，两个所述导电缓冲区14的上方均设置有导电扩展层13，两个所述导电扩展层13上均设置有缓冲结构5，两个所述缓冲结构5的上方分别设置有导电源区12和导电阱区7，所述导电源区12的上方、栅极电极6的上方和导电阱区7的上方共同设置有源极电极8，所述源极电极8的上方设置有耐压层9，所述耐压层9的上方设置有阻光层10。
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权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 集成P型沟道的高可靠性碳化硅MOSFET器件
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