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申请/专利权人：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
摘要：本实用新型提供的一种双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路，包括供电模块、保护模块、产品功率可调模块、警报模块、显示模块、工作电流检测模块，所述供电模块分别与保护模块、产品功率可调模块、警报模块连接，保护模块、产品功率可调模块、警报模块分别与场效应晶体管阵列芯片U1连接，场效应管阵列输出端分别与显示模块和工作电流检测模块连接。利用全动态功能老炼系统板面大小设计以及电源走线，拥有短路保护、过流保护以及正常老炼指示和短路状态指示功能。
主权项：1.一种双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路，其特征在于：包括供电模块、保护模块、产品功率可调模块、警报模块、显示模块、工作电流检测模块，所述供电模块分别与保护模块、产品功率可调模块、警报模块连接，保护模块、产品功率可调模块、警报模块分别与场效应晶体管阵列芯片U1连接，场效应管阵列输出端分别与显示模块和工作电流检测模块连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路
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