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申请/专利权人：国立大学法人北海道大学
摘要：本发明的场效应晶体管具备：基板，具有111面，并由被掺杂为第一导电型的IV族半导体构成；核壳纳米线，包含核心纳米线和壳层，该核心纳米线连接于所述基板的所述111面并由被掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型的III‑V族化合物半导体构成，该壳层以包覆所述核心纳米线的方式配置，并由被掺杂为所述第一导电型的III‑V族化合物半导体构成；第一电极，与所述壳层电连接；第二电极，与所述基板电连接；以及栅极电极，使电场作用于所述基板与所述核心纳米线的接合界面以及所述壳层。
主权项：1.一种场效应晶体管，其具备：基板，具有111面，并由被掺杂为第一导电型的IV族半导体构成；核壳纳米线，包含核心纳米线和壳层，所述核心纳米线连接于所述基板的所述111面并由被掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型的III-V族化合物半导体构成，所述壳层以包覆所述核心纳米线的方式配置，并由被掺杂为所述第一导电型的III-V族化合物半导体构成；第一电极，与所述壳层电连接；第二电极，与所述基板电连接；以及栅极电极，使电场作用于所述基板与所述核心纳米线的接合界面以及所述壳层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国立大学法人北海道大学 场效应晶体管及开关元件
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