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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本发明提供了一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上通过氢等离子体处理或生长金刚石外延层，形成氢终端金刚石表面导电沟道；在氢终端金刚石表面涂敷一层偶联剂，烘干并高温退火后形成介质层；光刻有源区图形窗口，使用干法刻蚀或者湿法腐蚀去掉介质层，并实现器件隔离；光刻出源电极区域和漏电极区域，淀积源极金属和漏极金属，剥离形成源漏欧姆接触；沉积介质作为栅钝化层；光刻出栅根形貌，刻蚀或者腐蚀上层介质；光刻出栅极窗口，淀积栅金属，剥离形成栅电极；淀积钝化层；光刻出电极图形，刻蚀腐蚀出电极。本发明能够实现氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备。
主权项：1.一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，在金刚石衬底1上通过氢等离子体处理或生长金刚石外延层，形成氢终端金刚石表面导电沟道2；步骤二，在氢终端金刚石表面涂敷一层偶联剂，烘干并高温退火后形成介质层3；步骤三，光刻有源区图形窗口，使用干法刻蚀或者湿法腐蚀去掉介质层，并利用氧等离子体或者臭氧处理，实现器件隔离；步骤四，光刻出源电极区域和漏电极区域，淀积源极金属和漏极金属，剥离，经过或者不经过退火形成源漏欧姆接触4；步骤五，沉积介质作为栅钝化层5；步骤六，光刻出栅根形貌，刻蚀或者腐蚀上层介质；步骤七，光刻出栅极窗口，淀积栅金属6，剥离形成栅电极；步骤八，淀积钝化层7；步骤九，光刻出电极图形，使用干法刻蚀或者湿法刻蚀技术腐蚀出电极，并对电极进行加厚以利于后续的键合及导线引出，制得氢终端金刚石晶体管；或者，在步骤四的基础上直接进行步骤七，直接形成直栅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法
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