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申请/专利权人：北极星特许集团有限责任公司
摘要：本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。在一些实施例中，包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔的存储块，所述存储块个别地包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。绝缘支柱横向位于横向紧邻的所述存储块之间且纵向沿着所述存储块。与所述绝缘层相比，所述支柱在所述导电层中包括垂直间隔且径向突出的绝缘环。公开了包含方法的其它实施例。
主权项：1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：横向间隔的存储块，其个别地包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的操作沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；以及所述绝缘层的绝缘材料，其横向延伸越过横向位于所述存储器阵列的完成的可操作的构造中的横向紧邻的所述存储块之间的空间，所述绝缘材料具有竖向延伸孔，所述孔横向位于所述横向紧邻的存储块之间且纵向上沿着所述横向紧邻的存储块。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北极星特许集团有限责任公司 存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法
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