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申请/专利权人：山东大学;山东大学深圳研究院
摘要：本发明涉及一种氮化镓沟槽型MOSFET器件及其制备方法。所述氮化镓沟槽型MOSFET器件是在垂直型氮化镓MOSFET器件或准垂直型氮化镓MOSFET器件的n‑GaN漂移层与p‑GaN层之间设置有极化层，极化层的材料可选择AlGaN、AlN、InGaN、InAlN或AlInGaN；在完成栅极、源极区域刻蚀后继续生长一层再生长氮化镓层。本发明在n‑GaN漂移层与p‑GaN层之间引入了极化层，避免电流在反型层下方聚集，有效利用漂移区，降低导通损耗；其产生的势垒可抑制反向续流时体二极管的开启，可减小反向恢复时间及反向恢复峰值电流，降低了开关损耗。并且引入了再生长氮化镓层，避免极化产生的势垒将整个电流通道封闭，使得电流可凭借二维电子气延展的同时避免其被势垒阻挡。
主权项：1.一种氮化镓沟槽型MOSFET器件，是在垂直型氮化镓MOSFET器件或准垂直型氮化镓MOSFET器件的n-GaN漂移层与p-GaN层之间设置有极化层，极化层的材料为AlGaN、AlN、InGaN、InAlN或AlInGaN；在完成栅极、源极区域刻蚀后继续生长一层再生长氮化镓层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 山东大学深圳研究院 一种氮化镓沟槽型MOSFET器件及其制备方法
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