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申请/专利权人：南京南瑞半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，倒T型电场调制区有效调制器件内部电场，消除沟槽底角处电场聚集效应，屏蔽栅氧内电场强度，避免栅氧击穿，从而防止器件过早击穿烧毁、提升器件可靠性；倒T型电场调制区在调制电场的同时，使之与远离器件阱区，从而有效缓解电场调制结构与阱区的自然耗尽作用，从而防止器件导通性能恶化；体二极管区作为器件内部的体二极管结构，在器件工作阻断状态时，传输反向电流；器件结构和制备方法简单，改善效果显著，可实现高性能、批量化沟槽型SiCMOSFET器件制备，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。
主权项：1.一种沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括从下到上依次设置的漏极电极118、漏极欧姆接触层117、第一掺杂类型的重掺杂的衬底101、第一掺杂类型的轻掺杂的外延层103和钝化层111；所述外延层103顶端的中间设置第二掺杂类型的阱区106，阱区106的顶部设置第一掺杂类型的源区107，外延层103顶端的中间贯穿阱区106和源区107设置栅沟槽108，沟槽内设有栅介质层109，第一掺杂类型的多晶硅110填充栅沟槽108内；所述钝化层111两端设置源极窗口112，其上设置源极欧姆接触层113，源极电极116置于源极欧姆接触层113上；所述钝化层111的中间、多晶硅110的上方设置栅极窗口114，栅极电极115置于栅极窗口114上；其特征在于，所述外延层103中阱区106和源区107的两端对称设置第二掺杂类型的倒T型的电场调制区104，倒T型的电场调制区104的顶端设置第二掺杂类型的体二极管区105。
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