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申请/专利权人：派恩杰半导体(浙江)有限公司
摘要：本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底，其包括：1准备相同尺寸的多晶碳化硅晶圆和单晶碳化硅衬底片；2将单晶碳化硅衬底片进行氢注入，将氢离子注入到单晶碳化硅衬底片表面下并形成氢注入层；3将单晶碳化硅衬底片形成氢注入层的一侧与多晶碳化硅晶圆进行键合并形成晶圆体；4将步骤3中得到的晶圆体沿氢注入层剥离单晶碳化硅衬底片。本申请由于使用基板是多晶碳化硅晶圆，单晶碳化硅衬底片层只有几微米，大大降低了成本；同时多晶也不会产生翘曲；此外，多晶电导率要远高于单晶，可以不用减薄。
主权项：1.一种碳化硅晶圆衬底的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1准备相同尺寸的多晶碳化硅晶圆和单晶碳化硅衬底片；2将单晶碳化硅衬底片进行氢注入，将氢离子注入到单晶碳化硅衬底片表面下并形成氢注入层；3将单晶碳化硅衬底片形成氢注入层的一侧与多晶碳化硅晶圆进行键合并形成晶圆体；4将步骤3中得到的晶圆体沿氢注入层剥离单晶碳化硅衬底片，剥离后形成碳化硅晶圆衬底，碳化硅晶圆衬底的基板为多晶硅碳化硅，碳化硅晶圆衬底的表面为氢注入后的单晶碳化硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 派恩杰半导体(浙江)有限公司 一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底
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