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申请/专利权人：法国原子能和替代能源委员会;索泰克公司
摘要：本发明涉及一种衬底，所述衬底包括基于半导体材料的第一层30和在所述第一层上方的第二层31。所述衬底3包括从所述第二层31延伸到所述第一层30中的多个嵌入中空通孔32。本发明还涉及制造衬底的方法和使用所述衬底来制造微电子器件的方法。由于衬底包括用于后续使用的中空通孔，通孔较容易制造。
主权项：1.一种衬底3，所述衬底包括：·基于半导体材料的第一层30，·位于所述第一层上方的第二层31，其特征在于，所述衬底3包括从所述第二层31在所述第一层30的部分上延伸的多个掩埋通孔32，各个通孔32由侧壁320、底壁321以及与所述底壁321相反的上壁322来界定，各个通孔32具有小于或等于30μm的至少一个横向尺寸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 法国原子能和替代能源委员会 索泰克公司 包括通孔的衬底及相关制造方法
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