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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及电感互连孔槽的制造方法，包括以下步骤：形成顶层层间介质层；通过第一光刻胶层在顶层层间介质层上定义出电感互连孔窗口；基于电感互连孔窗口刻蚀顶层层间介质层，在顶层层间介质层中形成电感互连孔，电感互连孔向下贯穿顶层层间介质层；去除第一光刻胶层后沉积底部抗反射层，沉积的底部抗反射层填充电感互连孔的下部；通过第二光刻胶层在顶层层间介质层上定义电感互连槽窗口；基于电感互连槽窗口刻蚀顶层层间介质层的上部，在所述顶层层间介质层的上部中形成电感互连槽，所述电感互连槽向下连通所述电感互连孔；去除剩余的第二光刻胶层、底部抗反射层和底部抗反射层下的隔离层。
主权项：1.一种电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述电感互连孔槽的制造方法包括以下步骤：形成顶层层间介质层；通过第一光刻胶层在所述顶层层间介质层上定义出电感互连孔窗口；基于所述电感互连孔窗口刻蚀所述顶层层间介质层，在所述顶层层间介质层中形成电感互连孔，所述电感互连孔向下贯穿所述顶层层间介质层；去除所述第一光刻胶层后沉积底部抗反射层，沉积的底部抗反射层填充所述电感互连孔的下部；通过第二光刻胶层在所述顶层层间介质层上定义电感互连槽窗口；基于所述电感互连槽窗口刻蚀所述顶层层间介质层的上部，在所述顶层层间介质层的上部中形成电感互连槽，所述电感互连槽向下连通所述电感互连孔；去除剩余的第二光刻胶层、位于所述电感互连孔中的底部抗反射层和所述底部抗反射层下的隔离层，使得前层互连结构的金属互连线从所述电感互连孔外露。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 电感互连孔槽的制造方法
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