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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：集成电路IC包括形成在扩散区中的晶体管。在每个晶体管中，源极和漏极在第一方向上延伸，并且栅极设置在该源极与该漏极之间的该扩散区上。为了减小通过连接到晶体管的该源极和该漏极的源极金属线和漏极金属线中的至少一者的连接电阻，该源极金属线和该漏极金属线中的一者在第一方向上比另一者延伸得更远，以提供附加的过孔接合区域，从而支持具有减小的电阻的互连件过孔，而不增加该源极金属线与该漏极金属线之间的侧到侧电容。增加该过孔接合区域减小了到该源极和或该漏极的连接电阻。提供延伸的源极金属线和或漏极金属线允许过孔接合区域在该第一方向上移位以减小过孔电容。
主权项：1.一种集成电路，所述集成电路包括：半导体，所述半导体包括扩散区；晶体管，所述晶体管包括分别设置在所述扩散区中的源极和漏极；和金属层，所述金属层包括：耦合到所述源极并且在第一方向上延伸的源极金属线；和耦合到所述漏极并且在所述第一方向上延伸的漏极金属线，其中：所述源极金属线和所述漏极金属线中的第一金属线在所述第一方向上比所述源极金属线和所述漏极金属线中的第二金属线延伸得更远。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 采用多图案金属化来优化金属互连件间隔的集成电路和相关制造方法
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