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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十研究所
摘要：本发明涉及射频前端技术领域，具体公开了一种基于玻璃基SiP封装的超宽带多层垂直互连结构，包括设置有信号线一的第一介质层、设置有信号线二的第二介质层、设置在第一介质层与第二介质层之间的介质层单元、用于信号线一和信号线二的信号通孔、以及设置在信号线一、信号线二外侧均设置接地屏蔽结构；第一介质层、介质层单元、第二介质层呈层叠设置；信号线一与信号线二在第二介质层上的投影相互垂直；信号通孔的外侧经过每层介质层上均设置有焊盘结构；在所述第二介质层上设置有焊盘结构位置对应的空气腔。本发明通过在垂直互连结构的下方添加空腔，并使用高低阻抗结构，实现了降低了信号线跨多层传输的损耗，改善了信号在链路的传输性能。
主权项：1.一种基于玻璃基SiP封装的超宽带多层垂直互连结构，其特征在于，包括设置有信号线一11的第一介质层1、设置有信号线二41的第二介质层4、设置在第一介质层1与第二介质层4之间的介质层单元、用于信号线一11和信号线二41的信号通孔20、以及设置在信号线一11、信号线二41外侧均设置接地屏蔽结构；所述第一介质层1、介质层单元、第二介质层4呈层叠设置；所述信号线一11与信号线二41在第二介质层4上的投影相互垂直；所述信号通孔20的外侧均设置有焊盘结构；在所述第二介质层4上设置有焊盘结构位置对应的空气腔10。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十研究所 一种基于玻璃基SiP封装的超宽带多层垂直互连结构
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