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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本公开提供一种基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构及其制备方法和应用。该基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构的制备方法包括：提供支撑基底；在支撑基底正面和背面分别淀积SiN薄膜；在支撑基底的背面形成背面掩模结构和对准标记，在支撑基底的正面形成正面对准标记；对支撑基底正面的SiN薄膜形成超表面或超透镜微纳结构阵列；腐蚀背腔至正面SiN薄膜，烘干后得到高透过率的超表面或超透镜结构。利用本发明，通过超表面或超透镜微纳结构阵列，实现0~2π相位覆盖，以完全调控波前，实现紫外光、可见光和红外光等波段超表面或超透镜，解决现有短波长波段超表面或超透镜不能实现超薄，不能与CMOS工艺兼容，难以与光纤和光衰减器等微型光学器件集成的问题。
主权项：1.一种基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一支撑基底；在该支撑基底正面和背面分别淀积SiN薄膜；采用光刻和离子刻蚀工艺在该支撑基底的背面形成背面掩模结构和对准标记，在该支撑基底的正面形成正面对准标记；对该支撑基底正面的SiN薄膜采用光刻和离子刻蚀工艺形成超表面或超透镜微纳结构阵列；以及腐蚀背腔至正面SiN薄膜，烘干后得到高透过率的超表面或超透镜结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 基于超薄SiN薄膜的超表面或超透镜结构及制备方法和应用
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