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申请/专利权人：三樱工业株式会社
摘要：一种垂直腔面发射激光器VCSEL，包括分布式布拉格反射器DBR，其包括在第一轴向上交替布置的第一介电层和第二介电层；以及半导体部分，其包括p型III族氮化物区域、III族氮化物区域和位于p型III族氮化物区域和III族氮化物区域之间的III族氮化物有源区域，p型III族氮化物区域、III族氮化物有源区域和III族氮化物区域沿第一轴向排列，III族氮化物区域包括n型III族氮化物区域。半导体部分包括具有周期性一维图案的单片光栅。单片光栅、III族氮化物有源区域和分布式布拉格反射器沿第一轴向布置以形成光学腔。周期性一维图案在与第一轴向相交的第二轴向上延伸。
主权项：1.一种垂直腔面发射激光器VCSEL，包括：第一分布式布拉格反射器DBR，所述第一分布式布拉格反射器包括在第一轴向上交替布置的第一介电层和第二介电层；以及半导体部分，所述半导体部分包括p型III族氮化物区域、III族氮化物区域以及位于所述p型III族氮化物区域和所述III族氮化物区域之间的III族氮化物有源区域，所述p型III族氮化物区域、III族氮化物有源区域和III族氮化物区域沿所述第一轴向排列，所述III族氮化物区域包括n型III族氮化物区域；其中，所述半导体部分包括具有周期性一维图案的单片光栅，所述单片光栅、III族氮化物有源区域和分布式布拉格反射器沿所述第一轴向布置以形成光学腔，并且所述周期性一维图案沿与所述第一轴向相交的第二轴向延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三樱工业株式会社 表面发射激光器、表面发射激光器的制造方法
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