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申请/专利权人：索泰克公司
摘要：本发明涉及一种绝缘体上压电POI衬底100，包括支撑衬底102，特别地硅基衬底；压电层108，特别地钽酸锂LTO或铌酸锂LNO层；夹在压电层108和支撑衬底102之间的介电层106，特别地氧化硅层；以及夹在介电层106和支撑衬底102之间的捕获结构104。捕获结构104包括基于不同材料的至少两个捕获层104a、104b。本发明还涉及一种用于生产绝缘体上压电POI衬底的方法。
主权项：1.一种绝缘体上压电POI衬底，包括：-支撑衬底102，特别地硅基衬底，-压电层108，特别地钽酸锂LTO或铌酸锂LNO层，-夹在压电层108和支撑衬底102之间的介电层106，特别地氧化硅层，-夹在介电层106和支撑衬底102之间的捕获结构104，所述捕获结构包括基于多晶硅或非晶硅或多孔硅、优选地基于多晶硅的第一捕获层104a，并且所述捕获结构104包括基于碳化硅的第二捕获层104b，其特征在于，所述第一捕获层104a位于所述支撑衬底102和所述第二捕获层104b之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索泰克公司 绝缘体上压电（POI）衬底和制造绝缘体上压电（POI）衬底的方法
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