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申请/专利权人：索泰克公司
摘要：本发明涉及一种绝缘体上压电POI基板100，该POI基板包括：具有第一声阻抗的支承基板102；压电层104，具体是由钽酸锂、铌酸锂、氮化铝、锆钛酸铅、硅酸镓镧或钽酸镓镧形成；具有第二声阻抗并且被夹设在压电层104与支承基板102之间的介电层110；以及位于支承基板102与介电层110之间的中间层106，其特征在于，中间层106是如下层：该层具有可变组分，具体地，沿着该层的厚度具有可变组分，以使得中间层的声阻抗在第一声阻抗的值与第二声阻抗的值之间变化，具体地，渐进地变化。本发明还涉及制造这种POI基板的方法，并且还涉及包括这种POI基板的表面声波器件。
主权项：1.一种绝缘体上压电POI基板100、200，所述绝缘体上压电POI基板100、200包括：-支承基板102，所述支承基板102具有第一声阻抗，-压电层104，特别是钽酸锂LTO、铌酸锂LNO、氮化铝AlN、锆钛酸铅PZT、硅酸镓镧或钽酸镓镧层，-介电层110，所述介电层具有第二声阻抗并且被夹设在所述压电层104与所述支承基板102之间，-中间层106，所述中间层位于所述支承基板102与所述介电层110之间，其特征在于，所述中间层106是如下层：该层具有可变组分，更具体地，沿着该层的厚度具有可变组分，以使得所述中间层106的声阻抗在所述第一声阻抗的值与所述第二声阻抗的值之间变化，特别是以渐进方式变化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索泰克公司 绝缘体上压电（POI）基板和制造绝缘体上压电（POI）基板的方法
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