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申请/专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
摘要：本申请公开了一种去除碳化硅衬底表面吸笔印记的清洗方法及碳化硅衬底，属于碳化硅检测技术领域。该清洗方法包括下述步骤：1采用氨水和双氧水的混合液对衬底的表面进行清洗，以对衬底表面进行预氧化；2采用臭氧水对预氧化的衬底进行清洗，得到含有氧化层的衬底；3采用pH为2.0‑3.5的酸性清洗液对含有氧化层的衬底进行清洗，之后再经水洗、吹干后得到清洗完成的碳化硅衬底。该方法能够改变衬底表面氧化层的Zeta电位，使得衬底表面电位不低于0mV，从而减少吸笔上带正电荷的颗粒吸附，达到完全去除吸笔印记的技术效果，提高碳化硅衬底的品质。
主权项：1.一种去除碳化硅衬底表面吸笔印记的清洗方法，其特征在于，包括下述步骤：1采用氨水和双氧水的混合液对衬底的表面进行清洗，以对衬底表面进行预氧化；2采用臭氧水对预氧化的衬底进行清洗，得到含有氧化层的衬底；3采用pH为2.0-3.5的酸性清洗液对含有氧化层的衬底进行清洗，之后再经水洗、吹干后得到清洗完成的碳化硅衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海天岳半导体材料有限公司 一种去除碳化硅衬底表面吸笔印记的清洗方法及碳化硅衬底
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