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申请/专利权人：上海澜芯半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种沟槽超结MOSFET的原胞结构，其衬底上至少包含两层外延层；其中一层外延层中包含有所述的沟槽超结MOSFET的栅极，所述的沟槽的下方具有超结结构；所述超结结构的P柱的深度与其所在的外延层的厚度一致，所述的沟槽中的侧壁具有均匀厚度的栅介质层，或者是下部具有较厚的沟槽场氧化层而上部具有较薄的栅介质层，栅极可以是整体的一体结构也可以是分离栅。本发明结构结合了沟槽和超结MOSFET原胞结构的优势，极大的降低了超结MOSFET单位面积比导通电阻。本发明的工艺可以在统一的SiC工艺平台下生产600～10000V以上MOSFET器件，极大的优化了MOSFET的性能，降低了不同电压SiCMOSFET工艺需要单独开发的成本问题。
主权项：1.一种沟槽超结MOSFET的原胞结构，其特征在于：包含：提供一半导体衬底，所述的半导体衬底上包含外延层；在所述的外延层中，包含有所述的沟槽超结MOSFET的原胞结构，其中，所述的沟槽构成所述超结MOSFET的栅极，所述的沟槽的下方具有超结结构；所述的超结结构包含P柱和N柱；所述的P柱位于所述的沟槽的正下方，与沟槽的底面抵靠接触；所述的N柱由所述的外延层构成；所述的沟槽中的侧壁具有均匀厚度的栅介质层，将所述的沟槽中填充的栅极导电材质与所述的外延层之间进行电隔离；靠近所述的沟槽的上部的外延层中具有所述沟槽超结MOSFET的P阱，所述的P阱的表层外延层中包含有所述的沟槽超结MOSFET的源极N+引出区以及与所述的源极N+引出区抵靠接触的P阱的P+接触孔引出区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海澜芯半导体有限公司 沟槽超结MOSFET的原胞结构及工艺方法
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