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申请/专利权人：浙江创芯集成电路有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括若干有源区，各有源区的衬底上具有至少两个栅极结构；在栅极结构两侧形成侧墙；在衬底及栅极结构上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成氮化硅层；在氮化硅层上形成具有金属硅化物图形的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，采用具有刻蚀选择比的干法湿法结合的刻蚀工艺沿金属硅化物图形刻蚀氮化硅层和氧化硅层至露出衬底及栅极结构顶部。以上述具有刻蚀选择比的刻蚀工艺对所述氮化硅层和所述氧化硅层进行刻蚀，在对所述氮化硅层和所述氧化硅层进行刻蚀的同时，会对部分所述侧墙内的氮化硅进行刻蚀，实现相邻栅极结构之间的接触孔的宽度增加，降低导电插塞与衬底的接触电阻。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括若干有源区，所述各有源区的衬底上具有至少两个栅极结构，相邻两个栅极结构之间为共源漏区；在所述栅极结构两侧形成侧墙；在所述衬底及栅极结构上形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成具有金属硅化物图形的光刻胶层；根据硅化物自对准阻挡层工艺，以所述光刻胶层为掩膜，采用具有刻蚀选择比的刻蚀工艺沿所述金属硅化物图形刻蚀所述氮化硅层和所述氧化硅层至露出所述衬底及所述栅极结构顶部。
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百度查询： 浙江创芯集成电路有限公司 半导体结构及其形成方法
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