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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：公开了具有贯穿电路通孔TCV的集成电路IC及其形成方法。IC包括：半导体器件；分别设置在半导体器件的第一和第二表面上的第一和第二互连结构；分别设置在衬底的前表面和后表面上的第一和第二层间电介质ILD层；以及设置在第一和第二互连结构、第一和第二ILD层以及衬底内的TCV。TCV通过衬底的部分以及第一和第二ILD层的部分与半导体器件间隔开。布置在衬底的前表面上的TCV的第一端连接到第一互连结构的导线，布置在衬底的后表面上的TCV的第二端连接到第二互连结构的导线。
主权项：1.一种集成电路IC，包括：衬底，具有前表面和与所述前表面相对的后表面；半导体器件，具有设置在衬底上的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中，所述第一表面设置在所述衬底的所述前表面上方，并且所述第二表面设置在所述衬底的所述后表面上方；第一互连结构和第二互连结构，分别设置在所述半导体器件的所述第一表面和所述第二表面上；第一层间电介质ILD层和第二层间电介质层，分别设置在所述衬底的所述前表面和所述后表面上；以及贯穿电路通孔TCV，设置在所述第一互连结构和所述第二互连结构、所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层以及所述衬底内，其中，所述贯穿电路通孔与所述半导体器件由所述衬底的部分以及所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层的部分间隔开，以及其中，设置在所述衬底的所述前表面上方的所述贯穿电路通孔的第一端连接到所述第一互连结构的导线，并且设置在所述衬底的所述后表面上方的所述贯穿电路通孔的第二端连接到所述第二互连结构的导线，其中，所述贯穿电路通孔和所述第二互连结构的所述导线是双镶嵌结构。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路及其形成方法
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