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申请/专利权人：威海嘉瑞光电科技股份有限公司
摘要：本发明涉及一种集成电路装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路装置的制造方法中，通过设置第一介电保护层中的金属离子的浓度大于第二介电保护层中的金属离子的浓度，且第二介电保护层中的金属离子的浓度大于第三介电保护层中的金属离子的浓度，然后进行热处理，以在所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片以及所述第三半导体芯片上分别形成第一电磁屏蔽结构、第二电磁屏蔽结构以及第三电磁屏蔽结构，提高集成电路装置的电磁屏蔽结构设置方式的灵活性。
主权项：1.一种集成电路装置的制造方法，其特征在于：所述集成电路装置的制造方法包括以下步骤：提供一封装基板，在所述封装基板上设置第一半导体芯片、第二半导体芯片以及第三半导体芯片；在所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片以及所述第三半导体芯片上分别形成第一金属纳米线层、第二金属纳米线层以及第三金属纳米线层；接着在所述第一金属纳米线层、所述第二金属纳米线层以及所述第三金属纳米线层上分别形成第一介电保护层、第二介电保护层以及第三介电保护层；利用离子注入的方法将金属离子分别注入到所述第一介电保护层中、所述第二介电保护层中以及所述第三介电保护层中，其中，所述第一介电保护层中的金属离子的浓度大于所述第二介电保护层中的金属离子的浓度，且所述第二介电保护层中的金属离子的浓度大于所述第三介电保护层中的金属离子的浓度；对所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片以及所述第三半导体芯片进行热处理，使得所述第一介电保护层、所述第二介电保护层以及所述第三介电保护层中的金属离子转变为金属纳米颗粒，以在所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片以及所述第三半导体芯片上分别形成第一电磁屏蔽结构、第二电磁屏蔽结构以及第三电磁屏蔽结构；在所述封装基板上形成树脂封装层，所述树脂封装层包裹所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片以及所述第三半导体芯片。
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