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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供绝缘体上硅，绝缘体上硅包括底层硅、埋氧层和顶层硅，埋氧层位于底层硅的表面，顶层硅位于埋氧层的表面，将绝缘体上硅分为第一区域和第二区域；在第二区域的顶层硅上形成第一硬掩膜层；氧化第一区域的部分厚度的顶层硅，以形成第一氧化层；去除第一硬掩膜层和第一氧化层，分别露出剩余的第一区域的顶层硅的表面和第二区域的顶层硅的表面，剩余的第一区域的顶层硅的厚度低于第二区域的顶层硅的厚度；形成第一浅沟槽隔离结构，以将第一区域的顶层硅和第二区域的顶层硅隔开。本发明在绝缘体上硅的不同区域形成了不同厚度的顶层硅，从而满足了不同器件的性能要求。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括底层硅、埋氧层和顶层硅，所述埋氧层位于所述底层硅的表面，所述顶层硅位于所述埋氧层的表面，将所述绝缘体上硅分为第一区域和第二区域；在所述第二区域的顶层硅上形成第一硬掩膜层；氧化所述第一区域的部分厚度的顶层硅，以形成第一氧化层；去除所述第一硬掩膜层和第一氧化层，分别露出剩余的所述第一区域的顶层硅的表面和第二区域的顶层硅的表面，剩余的所述第一区域的顶层硅的厚度低于所述第二区域的顶层硅的厚度；形成第一浅沟槽隔离结构，以将所述第一区域的顶层硅和第二区域的顶层硅隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 华虹半导体(无锡)有限公司 半导体器件的形成方法
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