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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底；在衬底内形成隔离槽；向隔离槽通入包括硅离子的种子气体，种子气体附着于隔离槽的内壁上，以形成种子层；向种子层通入含硅气体，含硅气体分解为固态物质和第一气体，固态物质包括硅离子，固态物质覆盖于种子层和隔离槽内壁共同构成的表面上，以形成目标薄膜。通过该方法形成的目标薄膜，可以增大衬底用于形成器件的有源区的表面积，且防止隔离槽的深度不足导致的器件制造缺陷，提高器件的良率。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底内形成隔离槽；向所述隔离槽通入种子气体，所述种子气体包括硅离子，所述种子气体附着于所述隔离槽的内壁上，以形成种子层；向所述种子层通入含硅气体，所述含硅气体分解为固态物质和第一气体，所述固态物质包括硅离子，所述固态物质覆盖于所述种子层和所述隔离槽内壁共同构成的表面上，以形成目标薄膜。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法
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