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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
摘要：提供了一种金属氧化物膜层，其包括：第一势垒层；势阱层，其位于第一势垒层的一侧；和第二势垒层，其位于势阱层的远离第一势垒层的一侧，其中，第一势垒层、势阱层、第二势垒层的材料均为金属氧化物，势阱层的导带能级小于第一势垒层的导带能级，并且小于第二势垒层的导带能级。金属氧化物膜层还包括功能层，其中，功能层位于势阱层的远离第一势垒层的一侧，功能层的材料选自镨或钽的氧化物；或者金属氧化物膜层不包括功能层，势阱层的材料包括镨或钽元素。
主权项：1.一种金属氧化物膜层，包括：第一势垒层；势阱层，其位于所述第一势垒层的一侧；第二势垒层，其位于所述势阱层的远离所述第一势垒层的一侧；和功能层，其位于所述势阱层的远离所述第一势垒层的一侧，其中，所述第一势垒层、所述势阱层、所述第二势垒层的材料均为金属氧化物，所述势阱层的导带能级小于所述第一势垒层的导带能级，并且小于所述第二势垒层的导带能级，以及所述功能层的材料选自镨或钽的氧化物。
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百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 北京京东方技术开发有限公司 金属氧化物膜层和薄膜晶体管
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