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申请/专利权人：深圳市晶扬电子有限公司
摘要：本发明提供一种同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件及电路。本发明可控硅整流器器件包括第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型阱区和第二导电类型阱区，所述第一导电类型阱区内设有第一有源区，所述第二导电类型阱区内设有第二有源区，所述第一有源区和第二有源区均被均匀的分割为M块，M为正整数，包括交错排列的第一导电类型分割块和第二导电类型分割块，所述第一有源区内的第二导电类型分割块、所述第二有源区的第一导电类型分割块上表面均设有不完全覆盖的硅化物阻挡层。本发明可以在高低温下自动地调节器件内部的两个寄生BJT之间的正反馈强度，从而可使该器件同时适用于高低温应用场景。
主权项：1.一种同时适用于高低温应用的可控硅整流器器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型阱区和第二导电类型阱区，其中，所述第一导电类型阱区内设有第一有源区，所述第一有源区被均匀的分割为M块，M为正整数，包括交错排列的第一导电类型分割块和第二导电类型分割块，所述第一有源区内的第一导电类型分割块和第二导电类型分割块均与第一端口电性连接，所述第二导电类型阱区内设有第二有源区，所述第二有源区被均匀的分割为M块，包括交错排列的第一导电类型分割块和第二导电类型分割块，所述第二有源区内的第一导电类型分割块和第二导电类型分割块均与第二端口电性连接，所述第一有源区内的第一导电类型分割块与所述第二有源区内的第二导电类型分割块的数量相等，并一一对应设置，所述第一有源区内的第二导电类型分割块与所述第二有源区内的第一导电类型分割块的数量相等，并一一对应设置，所述第一有源区内的第二导电类型分割块表面设有不完全覆盖所述第二导电类型分割块的硅化物阻挡层，所述第二有源区的第一导电类型分割块表面设有不完全覆盖所述第二导电类型分割块的硅化物阻挡层。
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权利要求：
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