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申请/专利权人：广东先导院科技有限公司;陕西光电子先导院科技有限公司
摘要：本发明公开了一种GaAs基芯片的切割方法，包括：获取GaAs晶圆及其预设的多个待分离芯片间的切割道信息，并基于切割道金属层信息，将切割道细分并分别对待处理的金属层子切割道与非金属层子切割道制定相应的激光束参数，利用调制后的激光束精准照射并熔断子切割道金属层，实现多层结构逐一分解，随后实施隐形切割，在所有子切割道上形成改质层，以确保后续无损剥离。本发明通过对不同材质、厚度的金属层进行精确熔断与隐形切割，有效避免了传统切割方式造成的热影响区过大和芯片损伤问题，显著提升了GaAs基芯片的切割质量和良品率。
主权项：1.一种GaAs基芯片的切割方法，其特征在于，包括：获取GaAs晶圆，所述GaAs晶圆设置有待分离的多个GaAs基芯片以及位于所述多个GaAs基芯片之间的切割道；获取切割道金属层信息，所述切割道金属层信息包括金属层位置信息、金属层材质类型和金属层厚度；根据所述切割道金属层信息，将切割道划分为多个子切割道，所述子切割道包括金属层子切割道和非金属层子切割道；根据所述切割道金属层信息，获取待切割所述金属层子切割道的多个子切割道金属层信息；根据多个所述子切割道金属层信息，确定激光束参数，所述激光束参数包括激光焦点数量、激光焦点能量值和激光焦点位置；根据所述激光束参数调制激光束，并通过所述激光束的至少一个激光焦点对待切割的至少一个金属层进行照射熔断；对所有所述金属层子切割道重复上述的调制激光和照射熔断操作；对所述金属层子切割道和所述非金属层子切割道进行隐形切割，形成改质层；对所述GaAs晶圆进行芯片分离处理，得到多个分离的GaAs基芯片；所述芯片分离处理为扩膜或裂片处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导院科技有限公司 陕西光电子先导院科技有限公司 一种GaAs基芯片的切割方法
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