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申请/专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的返工方法，包括：1制作键合片：键合片是指键合的永久性衬底结构及临时衬底结构，永久性衬底结构包括自下而上的硅永久性衬底、第二反射镜层、金属粘附层，临时衬底结构包括自下而上的第一反射镜层、电流阻挡层、P型GaAs层、P型AlGaInP层、量子阱层、N型AlGaInP层、N型GaAs层、阻挡层、缓冲层、GaAs临时衬底，电流阻挡层内还设置有P型欧姆接触点；2返工处理：将永久性衬底结构及临时衬底结构分开，并去除第一反射镜层；3制作后续管芯；本发明有效的返工制作方法提高了倒装芯片的最终管芯良率。
主权项：1.一种针对反极性GaAs基AlGaInP四元倒装结构的红光LED管芯键合异常的返工制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1制作键合片：所述键合片包括由下自上的键合在一起的永久性衬底结构及临时衬底结构，所述永久性衬底结构包括自下而上的硅永久性衬底、第二反射镜层、金属粘附层，所述临时衬底结构包括自下而上的第一反射镜层、电流阻挡层、P型GaAs层、P型AlGaInP层、量子阱层、N型AlGaInP层、N型GaAs层、阻挡层、缓冲层、GaAs临时衬底，所述电流阻挡层内还设置有P型欧姆接触点；2返工处理：将所述永久性衬底结构及所述临时衬底结构分开，并去除所述第一反射镜层；3制作后续管芯：包括步骤如下：①在所述电流阻挡层上重新生长所述第一反射镜层，并将所述永久性衬底结构及所述临时衬底结构键合在一起；②去除所述GaAs临时衬底、所述缓冲层；③在所述阻挡层上制作扩展电极、P型主电极；④在所述硅永久性衬底上制作N型电极；⑤分割成单颗管芯；步骤2中，包括步骤如下：A、将步骤1制备的键合片进行超声处理；B、将步骤A超声处理后的键合片放置在盐酸与双氧水的混合溶液中浸泡，直至观察到键合片的永久性衬底结构及临时衬底结构的键合处有大量气泡冒出；C、使用刀片将键合的永久性衬底结构及临时衬底结构分开。
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权利要求：
百度查询： 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的返工方法
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