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申请/专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
摘要：本申请涉及一种AlGaInP系外延层及其生长方法、发光芯片，在P型限制层远离有源层的一侧生长了P型欧姆接触层与P型AlGaInP出光层，利用P型AlGaInP出光层代替P型GaP窗口层实现了出光以及电流扩展的作用，同时，利用P型欧姆接触层代替了P型GaP窗口层实现了与P电极的欧姆接触，这样就可以不用再在P型限制层上生长P型GaP窗口层以及P型过渡层，有利于降低AlGaInP系外延层的生长难度，提升AlGaInP系外延层的生产效率。
主权项：1.一种AlGaInP系外延层，其特征在于，包括：N型限制层；P型限制层；介于所述N型限制层与所述P型限制层之间的有源层；设于所述P型限制层远离所述有源层的一侧，且被配置为与P电极接触的P型欧姆接触层；以及设于所述P型欧姆接触层远离所述有源层一侧的P型AlGaInP出光层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆康佳光电技术研究院有限公司 AlGaInP系外延层及其生长方法、发光芯片
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