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申请/专利权人:江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司
摘要:本发明公开了一种反极性红光LED芯片及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,该制备方法包括:提供P面外延层;在P面外延层远离打线电极的表面制作导电柱;在导电柱的外围制作介质层,使介质层覆盖于P面外延层远离打线电极的表面并将导电柱包裹;对介质层进行腐蚀,得到大于打线电极直径的介质层通孔;在介质层通孔内与介质层远离P面外延层的表面沉积ITO材料,得到透明导电层;在透明导电层远离介质层的表面蒸镀反光金属材料,得到镜面层;将镜面层键合至背面具有N电极的衬底基板之上。本发明解决了现有技术中SiO2介质层的应力较大,AuZn和SiO2介质层之间的粘附性较差,在终端打线过程容易出现键合脱层现象的技术问题。
主权项:1.一种反极性红光LED芯片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供P面外延层;在所述P面外延层远离打线电极的表面制作导电柱;在所述导电柱的外围制作介质层,使所述介质层覆盖于所述P面外延层远离所述打线电极的表面并将所述导电柱包裹;对所述介质层进行腐蚀,得到大于所述打线电极直径的介质层通孔;在所述介质层通孔内与所述介质层远离所述P面外延层的表面沉积导电材料,得到透明导电层;在所述透明导电层远离所述介质层的表面蒸镀反光金属材料,得到镜面层;将所述镜面层键合至背面具有N电极的衬底基板之上。
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