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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司;山东芯光光电科技有限公司

摘要：本发明涉及一种高斯渐变波导结构的AlGaInP半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。激光器由下至上依次包括衬底、缓冲层、Alx1Ga1‑x1y1In1‑y1P下限制层、Alx2Ga1‑x2y2In1‑y2P下波导、量子阱Ⅰ、垒层Ⅰ、量子阱Ⅱ、垒层Ⅱ、量子阱Ⅲ、Alx8Ga1‑x8y5In1‑y5P上波导层、Alx9Ga1‑x9y6In1‑y6P上限制层Ⅰ、腐蚀终止层、上限制层Ⅱ、Al0.5Ga0.5In0.5P上过渡层、Ga0.5In0.5P上过渡层和帽层。本发明提供采用高斯渐变波导层，降低阈值电流，提高输出功率及亮度；采用非对称结构设计，压缩光场向N侧偏移，增大高阶模激射阈值，提高单模输出功率；采用窄波导结构设计，光场向限制层中扩展，压缩快轴发散角，提高光斑质量。

主权项：1.一种高斯渐变波导结构的AlGaInP半导体激光器，其特征在于，由下至上依次包括衬底、缓冲层、Alx1Ga1-x1y1In1-y1P下限制层、Alx2Ga1-x2y2In1-y2P下波导、量子阱Ⅰ、垒层Ⅰ、量子阱Ⅱ、垒层Ⅱ、量子阱Ⅲ、Alx8Ga1-x8y5In1-y5P上波导层、Alx9Ga1-x9y6In1-y6P上限制层Ⅰ、腐蚀终止层、上限制层Ⅱ、Al0.5Ga0.5In0.5P上过渡层、Ga0.5In0.5P上过渡层和帽层；其中，0.55≤x1≤0.9，0.4≤y1≤0.6；0.35≤x2≤0.9，0.4≤y2≤0.6；0.35≤x8≤1，0.4≤y5≤0.6；0.65≤x9≤1，0.4≤y6≤0.6；Alx2Ga1-x2y2In1-y2P下波导中的Al组分采用高斯渐变，x2由高值渐变至低值，Alx8Ga1-x8y5In1-y5P上波导层中的Al组分采用高斯渐变，x8由低值渐变至高值；Alx2Ga1-x2y2In1-y2P下波导与Alx8Ga1-x8y5In1-y5P上波导层采用非对称厚度，Alx2Ga1-x2y2In1-y2P下波导厚度小于Alx8Ga1-x8y5In1-y5P上波导层厚度，Alx1Ga1-x1y1In1-y1P下限制层与Alx9Ga1-x9y6In1-y6P上限制层Ⅰ的Al组分非对称设计，x9＞x1。

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