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申请/专利权人：广东先导院科技有限公司;陕西光电子先导院科技有限公司
摘要：本发明公开了一种GaAs基芯片的激光切割方法，涉及激光加工技术领域。方法包括步骤：通过正交试验获取不同焦点深度参数下影响切割质量的控制参数的最优水平组合，生成焦点深度参数‑最优水平组合关系映射表。根据焦点深度参数‑最优水平组合关系映射表控制激光切割装置对芯片进行切割；在切割过程中监测激光装置的实际输出测量值，并根据实际输出测量值和当前的焦点深度参数对应的最优水平组合实时调整激光装置的控制参数。本发明根据焦点深度调整控制参数，实现了对切割质量的有效控制，使得切割过程可控，有利于提高芯片制作的精度和效率。
主权项：1.一种GaAs基芯片的激光切割方法，其特征在于：包括步骤：通过正交试验获取不同焦点深度参数下影响切割质量的控制参数的最优水平组合，生成焦点深度参数-最优水平组合关系映射表；根据焦点深度参数-最优水平组合关系映射表控制激光切割装置对芯片进行切割；在切割过程中监测激光装置的实际输出测量值，并根据实际输出测量值和当前的焦点深度参数对应的最优水平组合实时调整激光装置的控制参数；所述通过正交试验获取不同焦点深度参数下影响切割质量的控制参数的最优水平组合，包括步骤：S11、根据晶圆厚度设定焦点深度参数的数量和取值；S12、选定焦点深度参数，设置每个控制参数对应的水平数并构建第一正交表；S13、根据正交表执行激光切割试验，采集试验样本图像；S14、根据试验样本图像获取切割质量评估参数并计算质量评估结果；S15、根据质量评估结果记录当前焦点深度参数对应的控制参数的最优水平组合；若存在还未试验的焦点深度参数，则返回步骤S12；所述控制参数包括单脉冲能量、脉冲宽度、脉冲频率和扫描速度。
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权利要求：
百度查询： 广东先导院科技有限公司 陕西光电子先导院科技有限公司 一种GaAs基芯片的激光切割方法
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