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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供了一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底。所述方法包括：在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，在所述GaAs缓冲层上沉积Ga原子层，在所述Ga原子层上外延生长界面失配位错阵列IMF，在所述界面失配位错阵列IMF上外延生长GaSb外延层。减少穿透位错的产生，简化外延生长过程，提高了生长效率。
主权项：1.一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，在GaAs衬底（1）上生长GaAs缓冲层（2）；步骤S2，在所述GaAs缓冲层（2）上沉积Ga原子层（3）；步骤S3，在所述Ga原子层（3）上外延生长界面失配位错阵列IMF（4），所述界面失配位错阵列IMF（4）采用Sb裂解得到的Sb2束流对通过步骤S2得到的产品浸润1分钟，Sb2束流为1~3×10-6Torr，生长温度为530℃；步骤S4，在所述界面失配位错阵列IMF（4）上外延生长GaSb外延层（5），在开始生长GaSb外延层（5）时，Ga炉挡板比Sb炉挡板先开启1秒，在生长GaSb外延层（5）之前在所述界面失配位错阵列IMF（4）上沉积另一Ga原子层（6）。
全文数据：
权利要求：
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