龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南昌航空大学
摘要：本发明公开了多次生长‑退火处理技术外延生长GaSb薄膜的新方法，通过控制Ga和Sb蒸发速率和Ga与Sb束流比，在玻璃或单晶硅衬底表面低温生长10‑50nm缓冲层，并升高衬底温度进行退火，使新沉积缓冲层表面初步结晶；然后升高衬底温度至外延生长温度，降低Ga和Sb蒸发速率及Ga与Sb束流比，在初步结晶缓冲层表面继续分子束外延GaSb薄膜，经过GaSb薄膜3‑10次外延生长‑退火处理后，得到厚度为100‑250nmGaSb薄膜，最后对GaSb薄膜进行长时间真空退火处理，消除薄膜应力，并能有效地提高GaSb薄膜结晶质量。本方法使用缓冲层技术、多次生长‑退火处理技术及长时间真空退火技术外延生长GaSb薄膜，其结晶质量能得到明显提高。对于开发光电子器件，具有较好的应用前景。
主权项：1.多次生长-退火处理技术外延生长GaSb薄膜的新方法，其特征在于：该方法首先在衬底表面采用分子束外延生长技术低温生长GaSb薄膜缓冲层，然后在新沉积GaSb薄膜缓冲层上，使用多次生长-退火处理和长时间真空退火处理技术来提高分子束外延生长GaSb薄膜结晶质量，具体步骤如下：1缓冲层生长：控制Ga和Sb金属蒸汽压、蒸发速率及Ga与Sb束流比，首先在玻璃或单晶硅衬底表面低温度生长10-50nmGaSb缓冲层，然后升高衬底温度进行退火处理，使得GaSb薄膜表面得到初步结晶；2GaSb薄膜生长：继续升高衬底温度至外延生长温度，在初步结晶缓冲层表面继续采用分子束外延生长技术制备GaSb薄膜，由于Sb随衬底温度上升反蒸现象明显，降低Ga和Sb蒸发速率及Ga与Sb束流比，在新沉积GaSb缓冲层上继续外延生长GaSb薄膜；3退火处理：当GaSb薄膜厚度达到10-50nm时，停止Ga蒸发并降低Sb蒸发速率和衬底温度，对外延生长GaSb薄膜进行退火处理；4GaSb薄膜生长厚度控制与薄膜应力消除：经过3-10次外延GaSb薄膜生长-退火处理后，得到厚度为100-250nmGaSb薄膜，最后进行长时间真空退火处理，消除薄膜应力，GaSb薄膜结晶质量能得到有效提高。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南昌航空大学 多次生长-退火处理技术外延生长GaSb薄膜的新方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号