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申请/专利权人：先进能源科学与技术广东省实验室;中国科学院福建物质结构研究所
摘要：本申请公开了一种GaSb单晶电池表面改性的方法，所述方法至少包括：采用原子层沉积法在GaSb单晶电池表面循环制备TiO2薄膜；所述TiO2薄膜具有三角形形貌。本发明通过ALD技术对GaSb单晶电池进行表面改性后，GaSb单晶电池表面由于反射而损失的部分光子可以再被反射回GaSb表面，相当于减小了反射率，减小了入射光的能量损失，从而实现对电池转换效率的提高。该工艺可用于多种不同金属氧化物对GaSb单晶电池的表面改性方法，将改性后的GaSb单晶电池用于热光伏系统之中可以有效提升电池的转换效率。
主权项：1.一种GaSb单晶电池表面改性的方法，其特征在于，所述方法至少包括：采用原子层沉积法在GaSb单晶电池表面循环制备晶体薄膜；所述晶体薄膜为TiO2薄膜；所述TiO2薄膜具有三角形形貌，且三角形顶角度数为64°。
全文数据：
权利要求：
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