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申请/专利权人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学

摘要：本发明提供了一种双色势垒型GaSb基InAsInAsSb异质结光电晶体管，衬底，在衬底上外延生长缓冲层、第一接触层、第一异质结、第二异质结和第二接触层，以及沿第二接触层、第二异质结、第一异质结蚀刻至第一接触层的台阶；第一接触层上形成第一金属电极，第二接触层上形成第二金属电极，并且第二接触层、第二异质结、第一异质结和第一接触层的蚀刻表面沉积钝化层；第一异质结为中波异质结，第二异质结为长波异质结；第一接触层为中波N型接触层，第二接触层为长波N型接触层。本发明具有高响应度、高光电增益、高探测率、低暗电流、低串扰等优点，实现对多个波段的探测。

主权项：1.一种双色势垒型GaSb基InAsInAsSb异质结光电晶体管，其特征在于，所述光电晶体管包括衬底，在所述衬底上外延生长缓冲层、第一接触层、第一异质结、第二异质结和第二接触层，以及沿所述第二接触层、第二异质结、第一异质结蚀刻至所述第一接触层的台阶；所述第一接触层上形成第一金属电极，所述第二接触层上形成第二金属电极，并且所述第二接触层、第二异质结、第一异质结和所述第一接触层的蚀刻表面沉积钝化层；其中，所述第一异质结为中波异质结，所述第二异质结为长波异质结；所述第一接触层为中波N型接触层，所述第二接触层为长波N型接触层；所述第一异质结包括在所述第一接触层上依次外延生长的中波势垒层、中波N型集电极和中波P型基极；所述中波P型基极上外延生长共用N型发射极，所述第二异质结包括在所述共用N型发射极上依次外延生长的长波P型基极、长波N型集电极和长波势垒层，第一异质结和第二异质结共用所述共用N型发射极；所述中波势垒层包括多个周期的第二M型超晶格结构，总厚度为0.2μm；所述中波N型集电极包括多个周期的第一InAsInAsSb超晶格结构，总厚度为1μm；所述中波P型基极包括多个周期的第二InAsInAsSb超晶格结构，总厚度为30nm；所述共用N型发射极包括多个周期的第三M型超晶格结构，总厚度为0.3μm；所述长波P型基极包括多个周期的第三InAsInAsSb超晶格结构，总厚度为30nm；所述长波N型集电极包括多个周期的第四InAsInAsSb超晶格结构，总厚度为2.6μm；所述长波势垒层包括多个周期的第四M型超晶格结构，总厚度为0.3μm；M型超晶格结构为InAsAlAsInAsInAsSb超晶格结构。

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