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申请/专利权人：国科大杭州高等研究院
摘要：本发明提供了InAsGaSbⅡ类超晶格APD死区长度计算方法，首先定义InAsGaSbⅡ类超晶格雪崩光电二极管物理模型中的物理参数、材料参数和初始条件；选择合适的散射机制；跟踪记录一个粒子每一次发生碰撞电离时的位置，计算连续两次碰撞电离之间的距离；重复上一步，并统计结果，计算这些距离的平均值即为死区长度。本发明的InAsGaSbⅡ类超晶格APD死区长度计算方法，解决了雪崩光电二极管死区理论模型中死区长度随机性大、计算复杂的问题，更为直观的描述了器件结构或相关物理量对雪崩光电二极管在碰撞电离过程中死区长度的影响。
主权项：1.InAsGaSbⅡ类超晶格APD死区长度计算方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、定义InAsGaSbⅡ类超晶格APD的物理模型中的物理参数、材料参数和初始条件；S2、选择载流子散射机制，基于步骤S1，选择晶格振动散射中的声学声子散射、光学声子散射和碰撞电离载流子散射机制，并计算各载流子散射机制的具体散射概率，P1、P2和P3；S3、设置自由飞行时间，自由飞行时间根据载流子运动方程以及散射概率综合决定，自由飞行时间设置为1×10-15s；S4、采用蒙特卡罗方法模拟，给定一个随机数r，其分布在0-1之间，通过r与P1、P2和P3的连续和进行比较，来选择具体的载流子散射机制，若选择了碰撞电离，则记录其发生碰撞电离时的位置；S5，重复步骤S1到步骤S4，直至该粒子完成对倍增区内的模拟，跟踪记录该粒子每一次发生碰撞电离时的位置z，并统计到达倍增区末端的载流子数目；S6、计算连续两次碰撞电离之间的距离d，统计所有连续两次碰撞电离之间的距离d，并计算这些距离的平均值为死区长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国科大杭州高等研究院 InAs/GaSbⅡ类超晶格APD死区长度计算方法
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